Η Huawei έχει σημειώσει σημαντική πρόοδο στον τομέα των τσιπ, πάντα χέρι χέρι με τον συνεργάτη της την εταιρία SMIC. Τον τελευταίο καιρό οι λεπτομέρειες για τα τσιπ νέας γενιάς των εταιριών ήταν λίγες, αλλά τώρα το κορυφαίο τσιπ Kirin 9030 αποκάλυψε όλες τις λεπτομέρειες του.
Τον περασμένο μήνα, η Huawei παρουσίασε την σειρά Mate 80, η οποία είναι εξοπλισμένη με τους Kirin 9030 και Kirin 9030 Pro. Ωστόσο, δεν αποκάλυψε τεχνικές λεπτομέρειες των τσιπ, μια συνηθισμένη πρακτική τον τελευταίο καιρό. Βέβαια η Huawei μας είπε κάποια πράγματα για την απόδοση, όπως ότι το Mate 80 Pro Max προσφέρει βελτίωση απόδοσης περίπου 42%, ένα νούμερο που είναι περίπου διπλάσιο σε σύγκριση με το Mate 70 Pro+ που διαθέτει το chipset Kirin 9020.
Πρόσφατα, το Techinsights πραγματοποίησε μια δομική ανάλυση του chipset Kirin 9030 Pro και έριξε φως στο μυστήριο. Ο Kirin 9030 χρησιμοποιεί το N+3 της SMIC, καθιστώντας τον σαφώς πιο προηγμένο από τον Kirin 9020. Αυτή είναι μια σημαντική αλλαγή γενεών σε σύγκριση με τον SMIC N+2, έναν κόμβο κλάσης 7 nm που χρησιμοποιήθηκε για τα τσιπ Kirin 9020.
Σύμφωνα με τις πληροφορίες, το N+3 της SMIC κατασκευάζεται μέσω λιθογραφίας βαθιάς υπεριώδους ακτινοβολίας (DUV) με προηγμένες τεχνικές πολλαπλής διαμόρφωσης και χωρίς πρόσβαση σε ακραία υπεριώδη ακτινοβολία (EUV).
Η λιθογραφία DUV λειτουργεί σε μήκος κύματος 193mm, γεγονός που την καθιστά κατώτερη της EUV στα 13,5mm λόγω του μεγαλύτερου μήκους κύματος, περιορίζοντας την ανάλυση και απαιτώντας πολύπλοκες τεχνικές πολλαπλής διαμόρφωσης, όπως η διπλή ή τετραπλή διαμόρφωση.
Η SMIC αναγκάστηκε να επιλέξει το DUV λόγω των περιορισμών στις προμήθειες προηγμένων εργαλείων EUV που επιβάλλονται σε εταιρείες όπως η ASML.
Έτσι για πρώτη φορά κυρίες και κύριοι γνωρίζουμε ότι ο Kirin 9030 κατασκευάζεται στα 5nm και η αυξημένη του απόδοση δεν είναι απλά ένα τρικ του λογισμικού!
