Η TSMC ανακοίνωσε την πρωτοποριακή διεργασία κατασκευής τσιπ των 1,6 nm τα οποία περιλαμβάνουν επίσης δίκτυο παροχής ισχύος στην πίσω πλευρά που βελτιώνει ακόμη περισσότερο την αποδοτικότητα ισχύος και την πυκνότητα των τρανζίστορ.
Η διαδικασία των 1,6nm που ανακοινώθηκε βασίζεται σε nanosheet τρανζίστορ, όπως ακριβώς και οι επερχόμενες αρχιτεκτονικές N2, N2P και N2X που βασίζονται στον κόμβο των 2nm. Η νέα διαδικασία από μόνη της επιτρέπει 10% υψηλότερες ταχύτητες χρονισμού στην ίδια τάση και έως και 20% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας στην ίδια συχνότητα. Ανάλογα με τη σχεδίαση του chip, η νέα διεργασία των 1,6 nm μπορεί επίσης να χωρέσει έως και 10% περισσότερα τρανζίστορ.
Το οπίσθιο δίκτυο παροχής ισχύος είναι αναμφισβήτητα το μεγάλο όπλο αυτών των μελλοντικών τσιπ, καθώς επιτρέπει την αυξημένη πυκνότητα των τρανζίστορ και τη βελτιωμένη παροχή ισχύος, η οποία με τη σειρά της επηρεάζει την απόδοση. Η TSMC αναφέρει ότι μαζί με το Super Power Rail (SPR), το οποίο είναι ο τύπος του βύσματος που χρησιμοποιείται για τη σύνδεση του τσιπ με την πηγή τροφοδοσίας, το δίκτυο παροχής ισχύος στην πίσω πλευρά θα αποδειχθεί επωφελές κυρίως για τους επεξεργαστές AI και HPC που απαιτούν πολύπλοκη καλωδίωση σήματος και πυκνά δίκτυα τροφοδοσίας.
Το χρονοδιάγραμμα παραγωγής έχει προγραμματιστεί για το δεύτερο εξάμηνο του 2026, αν όλα πάνε σύμφωνα με το σχέδιο, με τα πρώτα προϊόντα που θα είναι έτοιμα για να εξοπλίσουν συσκευές να αποστέλλονται το 2027. Η εξέλιξη των τσιπ δεν φρενάρει για κανέναν λόγο, και σύντομα τα μικρά αυτά πυρίτια που βρίσκονται στο εσωτερικό των κινητών μας θα είναι απλά πανίσχυρα!
